⭐⭐⭐ Единый реферат-центр

Главная » Рефераты » Текст работы «Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7»


Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

Параметры моделей биполярных транзисторов. Схема замещения биполярного транзистора в программе МС7. Характеристика арсенид-галлиевого полевого транзистора. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом, МОП-транзисторы и операционные усилители.

Дисциплина: Программирование, компьютеры и кибернетика
Вид работы: реферат
Язык: русский
Дата добавления: 22.01.2016
Размер файла: 248 Kb
Просмотров: 3652
Загрузок: 25

Все приложения, графические материалы, формулы, таблицы и рисунки работы на тему: Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7 (предмет: Программирование, компьютеры и кибернетика) находятся в архиве, который можно скачать с нашего сайта.
Приступая к прочтению данного произведения (перемещая полосу прокрутки браузера вниз), Вы соглашаетесь с условиями открытой лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная (CC BY 4.0)
.

Текст работыСкачать файл








Хочу скачать данную работу! Нажмите на слово скачать
Чтобы скачать работу бесплатно нужно вступить в нашу группу ВКонтакте. Просто кликните по кнопке ниже. Кстати, в нашей группе мы бесплатно помогаем с написанием учебных работ.

Через несколько секунд после проверки подписки появится ссылка на продолжение загрузки работы.
Сколько стоит заказать работу? Бесплатная оценка
Повысить оригинальность данной работы. Обход Антиплагиата.
Сделать работу самостоятельно с помощью "РЕФ-Мастера" ©
Узнать подробней о Реф-Мастере
РЕФ-Мастер - уникальная программа для самостоятельного написания рефератов, курсовых, контрольных и дипломных работ. При помощи РЕФ-Мастера можно легко и быстро сделать оригинальный реферат, контрольную или курсовую на базе готовой работы - Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7.
Основные инструменты, используемые профессиональными рефератными агентствами, теперь в распоряжении пользователей реф.рф абсолютно бесплатно!
Как правильно написать введение?
Подробней о нашей инструкции по введению
Секреты идеального введения курсовой работы (а также реферата и диплома) от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России. Узнайте, как правильно сформулировать актуальность темы работы, определить цели и задачи, указать предмет, объект и методы исследования, а также теоретическую, нормативно-правовую и практическую базу Вашей работы.
Как правильно написать заключение?
Подробней о нашей инструкции по заключению
Секреты идеального заключения дипломной и курсовой работы от профессиональных авторов крупнейших рефератных агентств России. Узнайте, как правильно сформулировать выводы о проделанной работы и составить рекомендации по совершенствованию изучаемого вопроса.
Всё об оформлении списка литературы по ГОСТу Как оформить список литературы по ГОСТу?
Рекомендуем
Учебники по дисциплине: Программирование, компьютеры и кибернетика


Краткое описание документа: Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7 реферат по дисциплине Программирование, компьютеры и кибернетика. Понятие, сущность и виды, 2017.

Как скачать? | + Увеличить шрифт | - Уменьшить шрифт






реферат по дисциплине Программирование, компьютеры и кибернетика на тему: Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7; понятие и виды, классификация и структура, 2016-2017, 2018 год.

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT)

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

3. Полевой транзистор (JFET)

4. МОП-транзистор (MOSFET)

5. Операционный усилитель (ОРАМР)

Заключение

Список литературы

ВВЕДЕНИЕ

В программе МС7 используются в большинстве случаев (за исключением модели нелинейного магнитного сердечника) те же математические модели полупроводниковых приборов, что и программа PSpice. При необходимости полную информацию по моделям активных приборов (включая и формулы по которым производится расчет при моделировании), можно взять из (на русском языке) и из (на английском языке, есть файл в формате pdf). Появился также фрагмент перевода на русский, касающийся моделей активных приборов.

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение база-эмиттер Vbe и коллектор-эмиттер Vсе при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

В программе МС7 используется схема замещения биполярного транзистора в виде модели Гуммеля-Пуна, которая автоматически упрощается до более простой модели Эберса-Молла, если опустить некоторые параметры. Список параметров полной математической модели биполярного транзистора приведен в табл. 1.

Таблица 1. Параметры модели биполярного транзистора

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

1E-16

А

BF

Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)

100

BR

Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ

1

NF

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима

1

NR

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима

1

ISE*

Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер

0

А

ISC*

Ток насыщения утечки перехода база-коллектор

0

А

ISS

Ток насыщения p-n перехода подложки

0

А

NS

Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки

IKF*

Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме

А

IKR*

Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме

А

NE*

Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода

1,5

NC*

Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода

2

NK

Коэффициент перегиба при больших токах

0.5

VAF

Напряжение Эрли в нормальном режиме

В

VAR*

Напряжение Эрли в инверсном режиме

В

RC

Объемное сопротивление коллектора

0

Ом

RE

Объемное сопротивление эмиттера

0

Ом

RB

Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер

0

Ом

RBM*

Минимальное сопротивление базы при больших токах

RB

Ом

IRB*

Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM

А

TF

Время переноса заряда через базу в нормальном режиме

0

с

TR

Время переноса заряда через базу в инверсном режиме

0

с

XTF

Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор

0

VTF

Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор

В

ITF

Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах

0

А

PTF

Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора

0

град.

CJE

Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении

0

пФ

VJE (РЕ)

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

0,75

В

MJE (ME)

Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода

0,33

CJC

Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении

0

Ф

VJC (PC)

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

0,75

В

MJC(MC)

Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода

0,33

CJS (CCS)

Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении

0

Ф

VJS (PS)

Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка

0,75

В

MJS (MS)

Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка

0

XCJC

Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе

1

~

FC

Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов

0,5

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTB

Температурный коэффициент BF и ВR

0

--

XTI(PT)

Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS

3

--

TRE1

Линейный температурный коэффициент RE

0

C-1

TRE2

Квадратичный температурный коэффициент RЕ

0

C-2

TRB1

Линейный температурный коэффициент RВ

0

C-1

TRB2

Квадратичный температурный коэффициент RB

0

C-2

TRM1

Линейный температурный коэффициент RВМ

0

C-1

TRM2

Квадратичный температурный коэффициент RВМ

0

C-2

TRC1

Линейный температурный коэффициент RС

0

C-1

TRC2

Квадратичный температурный коэффициент RС

0

C-2

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерений

--

°С

T_ABS

Абсолютная температура

--

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

--

°C

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°C

* Для модели Гуммеля-Пуна.

Рис. 2. Модель биполярного транзистора

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде:

.MODEL <имя модели>GASFET [(параметры модели)]

Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaAsFET) являются приборами с каналом n-типа и имеют три модели, предложенные Куртисом (Curtice), Рэйтеоном (Raytheon) и TriQuint модель. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима. Остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 3.

Таблица 3. Параметры модели арсенид-галлиевого транзистора

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

LEVEL

Тип модели: 1 -- модель Куртиса, 2 -- модель Рэйтеона, 3 -- модель TriQuint

1

VTO

Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение

-2,5

В

ALPHA

Коэффициент для напряжения насыщения тока стока

2,0

1/В

В

Параметр легирования (Level=2)

0,3

1/В

BETA

Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость)

0,1

А/В2

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

GAMMA

Параметр статической обратной связи (для Level=3)

0

DELTA

Параметр выходной обратной связи (для Level=3)

0

(АВ)-1

Q

Показатель степени (для Level=3)

2

--

RG

Объемное сопротивление области затвора

0

Ом

RD

Объемное сопротивление области стока

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока

0

Ом

CGD

Емкость затвор-сток при нулевом смещении

0

Ф

CGS

Емкость затвор-исток при нулевом смещении

0

Ф

CDS

Емкость сток-исток фиксированная

0

Ф

IS

Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал

1E-14

А

M

Коэффициент плавности p-n-перехода затвора

0,5

N

Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал

1

--

FC

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора

0,5

VBI

Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора

1

В

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTI

Температурный коэффициент тока IS

0

VDELTA

Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,2

В

VMAX

Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)

0,5

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/°С

ВЕТАТСЕ

Температурный экспоненциальный коэффициент BETA

0

%/C

TRG1

Линейный температурный коэффициент RG

0

1/°С

TRD1

Линейный температурный коэффициент RD

0

1/°С

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

1/°С

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерения

--

°С

T_ABS

Абсолютная температура

--

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

--

°С

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°С

Рис. 4. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора

3. Полевой транзистор (JFET)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Модель полевого транзистора задается в виде:

.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом описываются моделью Шихмана-Ходжеса.

Таблица 5. Параметры модели полевого транзистора

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

VTO

Пороговое напряжение

-2

В

BETA

Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость

1E-4

А/В2

LAMBDA

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

IS

Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал

1E-14

А

RD

Объемное сопротивление области стока

0

Ом

RS

Объемное сопротивление области истока

0

Ом

CGD

Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении

0

Ф

CGS

Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении

0

Ф

M

Коэффициент плавности перехода затвор-исток

0,5

FC

Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении

0,5

"

PB

Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора

1

В

VTOTC

Температурный коэффициент VTO

0

В/°С

ВЕТАТСЕ

Температурный экспоненциальный коэффициент BETA

0

%/°С

XTI

Температурный коэффициент тока IS

3

--

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока

1

T_MEASURED

Температура измерения

--

°С

T_ABS

Абсолютная температура

--

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

--

°С

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°С

Рис. 6. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом

4. МОП-транзистор (MOSFET)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE:

[L=<значение>] [W=<значение>][АD=<значение>]

[АS=<значение>]

+ [РD=<значение>] [РS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>]

+ [NRG=<значение>] [NRВ=<значение>] [OFF] [IC=< Vds>[, Vgs[, Vbs]]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds, затвор-сток Vgs и затвор-подложка Vbs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые в диалоговом окне Global Settings

Таблица 7. Физико-топологические параметры МОП-транзистора

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Размерность

L

Длина канала

DEFL

м

W

Ширина канала

DEFW

м

AD

Площадь диффузионной области стока

DEFAD

м

AS

Площадь диффузионной области истока

DEFAS

м

PD

Периметр диффузионной области стока

0

м

PS

Периметр диффузионной области истока

0

м

NRD

Удельное относительное сопротивление стока

1

--

NRS

Удельное относительное сопротивление истока

1

--

NRG

Удельное относительное сопротивление затвора

0

--

NRB

Удельное относительное сопротивление подложки

0

--

Модели МОП-транзисторов задаются в виде:

.MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)]

.MODEL <имя модели>PMOS[(параметры модели)]

В программе МС7 МОП-транзисторы описываются тремя разными системами уравнений, выбор которых определяется параметром LEVEL, принимающим значения 1, 2 и 3. Модель первого уровня (LEVEL=1) используется в тех случаях, когда не предъявляются высокие требования к точности моделирования вольт-амперных характеристик транзистора, в частности, при моделировании МОП-транзисторов с коротким или узким каналом. Модели второго (LEVEL=2) и третьего (LEVEL=3) уровней учитывают более тонкие физические эффекты. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 8.

Таблица 8. Параметры модели МОП-транзистора

Обозначение

Уровень модели LEVEL

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

LEVEL

Индекс уровня модели

1

--

L

1-3

Длина канала

DEFL

м

W

1-3

Ширина канала

DEFW

м

LD

1-3

Глубина области боковой диффузии

0

м

WD

1-3

Ширина области боковой диффузии

0

м

VTO

1-3

Пороговое напряжение при нулевом смещении

1

В

КР

1-3

Параметр удельной крутизны

2E-5

А/В2

GAMMA

1-3

Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение

0

В1/2

PHI

1-3

Поверхностный потенциал сильной инверсии

0,6

В

LAMBDA

1,2

Параметр модуляции длины канала

0

1/В

RD

1-3

Объемное сопротивление стока

0

Ом

RS

1-3

Объемное сопротивление истока

0

Ом

RG

1-3

Объемное сопротивление затвора

0

Ом

RB

1-3

Объемное сопротивление подложки

0

Ом

RDS

1-3

Сопротивление утечки сток-исток

?

Ом

RSH

1-3

Удельное сопротивление диффузионных областей истока и стока

0

Ом/кв.

IS

1-3

Ток насыщения р-n-перехода сток-подложка (исток-подложка)

1E-14

А

JS

1-3

Плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка

0

А/м2

JSSW

1-3

Удельная плотность тока насыщения (на длину периметра)

0

А/м

PB

1-3

Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки

0,8

В

PBSW

1-3

Напряжение инверсии боковой поверхности р-n-перехода

PB

В

N

1-3

Коэффициент неидеальности перехода подложка-сток (исток)

1

CBD

1-3

Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом смещении

0

Ф

CBS

1-3

Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом смещении

0

Ф

CJ

1-3

Удельная емкость донной части р-n-перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на площадь перехода)

0

Ф/м2

CJSW

1-3

Удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на длину периметра)

0

Ф/м

MJ

1-3

Коэффициент, учитывающий плавность донной части перехода подложка-сток (исток)

0,5

MJSW

1-3

Коэффициент, учитывающий плавность бокового перехода подложка-сток (исток)

0,33

FC

1-3

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода подложки

0,5

CGSO

1-3

Удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой диффузии)

0

Ф/м

CGDO

1-3

Удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за счет боковой диффузии)

0

Ф/м

CGBO

1-3

Удельная емкость перекрытия затвор-подложка (за счет выхода затвора за пределы канала)

0

Ф/м

TT

1-3

Время переноса заряда через р-n-переход

0

с

NSUB

2, 3

Уровень легирования подложки

Нет

1/см3

NSS

2,3

Плотность медленных поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид

Нет

1/см2

NFS

2,3

Плотность быстрых поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид

0

1/см2

TOX

1-3

Толщина оксидной пленки

1E-7

м

TPG

2,3

Тип материала затвора (+1 -- легирование затвора примесью того же типа, как и для подложки; -1 -- примесью противоположного типа; 0 -- металл)

1

XJ

2,3

Глубина металлургического перехода областей стока и истока

0

м

UO

2,3

Поверхностная подвижность носителей

600

см2/В/с

UCRIT

2

Критическая напряженность поля, при которой подвижность носителей уменьшается в два раза

1E4

В/см

UEXP

2

Экспоненциальный коэффициент снижения подвижности носителей

0

UTRA

2

Коэффициент снижения подвижности носителей

0

м/с

GDSNOI

1-3

Коэффициент дробового шума канала

1

NLEV

1-3

Выбор шумового уравнения

2

VMAX

2, 3

Максимальная скорость дрейфа носителей

0

м/с

NEFF

2

Эмпирический коэффициент коррекции концентрации примесей в канале

1

XQC

2, 3

Доля заряда канала, ассоциированного со стоком

0

DELTA

2, 3

Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение

0

THETA

3

Коэффициент модуляции подвижности носителей под влиянием вертикального поля

0

1/В

ETA

3

Параметр влияния напряжения сток-исток на пороговое напряжение (статическая обратная связь)

0

KAPPA

3

Фактор поля насыщения (Параметр модуляции длины канала напряжением сток-исток)

0,2

KF

1-3

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

1-3

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

1

T_MEASURED

1-3

Температура измерения

--

°С

T_ABS

1-3

Абсолютная температура

--

°С

T_REL_GLOBAL

1-3

Относительная температура

--

°С

T_REL_LOCAL

1-3

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

--

°С

Рис. 9. Модель полевого транзистора с изолированным затвором (МОП-транзистора).

5. Операционный усилитель (ОРАМР)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <имя> Атрибут MODEL: [имя модели]

В программе МС7 имеются модели операционных усилителей трех типов:

LEVEL 1 -- простейшая линейная модель, представляющая собой источник тока, управляемый напряжением. ОУ имеет конечное выходное и бесконечное входное сопротивление (тем не менее выводы питания ОУ нужно подключить к схеме, так как в модели они подсоединены к «земле» через сопротивления 1 Ом), рис. 10, а;

LEVEL 2 -- более сложная линейная модель, состоящая из трех каскадов и имитирующая два полюса передаточной функции ОУ, ограничение скорости нарастания выходного напряжения, конечный коэффициент усиления и конечное выходное сопротивление, рис. 10, б;

LEVEL 3 -- нелинейная модель, аналогичная той, что применяется в программе PSpice. В ней учитываются ограничения на скорость нарастания выходного напряжения, значения выходного сопротивления на постоянном и переменном токе, ток и напряжение смещения, запас по фазе на частоте единичного усиления, площадь усиления, коэффициент подавления синфазного сигнала, реальные значения диапазона выходного напряжения и тока, рис. 10, в, г. Возможен выбор типа входного дифференциального каскада (на биполярных или полевых транзисторах). Все они имеют одинаковую графику символов. В отличие от программы PSpice, в которой модель ОУ описывается только как макромодель, в программе МС7 также используются и встроенные модели ОУ (LEVEL =1, 2, 3), что упрощает работу с ними и повышает скорость моделирования. Модель ОУ задается по директиве: .MODEL <имя модели> ОРА ([список параметров])

Перечень параметров модели ОУ приведен в табл. 11.

а)

б)

в)

Рис. 10. Модели операционного усилителя первого (а), второго (б) и третьего (в) уровней LEVEL

Таблица 11. Параметры моделей операционных усилителей

Обозначение

Уровень модели LEVEL

Параметр

Размерность

Значение по умолчанию

LEVEL

1--3

Уровень модели (1 , 2, 3)

--

1

TYPE

3

Тип входного транзистора: 1 -- NPN, 2 -- PNP, 3 -- JFET

1

С

3

Емкость коррекции

Ф

30E-12

A

1--3

Коэффициент усиления на постоянном токе

~

2E5

ROUTAC

1 --3

Выходное сопротивление по переменному току

Ом

75

ROUTDC

1 --3

Выходное сопротивление по постоянному току

Ом

125

VOFF

3

Напряжение смещения нуля

В

0,001

IOFF

3

Разность входных токов смещения

А

1E-9

SRP

2,3

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

В/с

5E5

SRN

2,3

Максимальная скорость спада выходного напряжения

В/с

5E5

IBIAS

3

Входной ток смещения

А

1E-7

VCC

3

Положительное напряжение питания

В

15

VEE

3

Отрицательное напряжение питания

В

-15

VPS

3

Максимальное выходное положительное напряжение

В

13

VNS

3

Максимальное выходное отрицательное напряжение

В

-13

CMRR

3

Коэффициент подавления синфазного сигнала

10E5

GBW

2, 3

Площадь усиления (равна произведению коэффициента усиления А на частоту первого полюса)

1E6

PM

2, 3

Запас по фазе на частоте единичного усиления

град.

60

PD

3

Рассеиваемая мощность

Вт

0,025

IOSC

3

Выходной ток короткого замыкания

А

0,02

T_MEASURED

3

Температура измерений

°С

--

T_ABC

3

Абсолютная температура

°С

--

T_REL_GLOBAL

3

Относительная температура

°С

--

T_REL_LOCAL

3

Разность между температурой устройства и модели-прототипа

°С

Заключение

MicroCAP-7 -- это универсальный пакет программ схемотехнического анализа, предназначенный для решения широкого круга задач. Характерной особенностью этого пакета, впрочем, как и всех программ семейства MicroCAP (MicroCAP-3… MicroCAP-8) [1, 2], является наличие удобного и дружественного графического интерфейса, что делает его особенно привлекательным для непрофессиональной студенческой аудитории. Несмотря на достаточно скромные требования к программно-аппаратным средствам ПК (процессор не ниже Pentium II, ОС Windows 95/98/ME или Windows NT 4/2000/XP, память не менее 64 Мб, монитор не хуже SVGA), его возможности достаточно велики. С его помощью можно анализировать не только аналоговые, но и цифровые устройства. Возможно также и смешанное моделирования аналого-цифровых электронных устройств, реализуемое в полной мере опытным пользователем пакета, способным в нестандартной ситуации создавать собственные макромодели, облегчающие имитационное моделирование без потери существенной информации о поведении системы.

Список литературы:

1. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. - Москва, «Солон», 1997. - 273 с. 621.3 Р17 /1997 - 1 аб, 3 чз

2. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. - Москва, «Солон», 1999. 004 Р-17 /2003 - 1 аб/ 2000 - 11 аб, 5 чз

3. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение.-- Москва: Солон-Р, 2001. - 726 с. 004 K23/ 10 аб, 5 чз.

4. Micro-Cap 7.0 Electronic Circuit Analysis Program Reference Manual Copyright 1982-2001 by Spectrum Software 1021 South Wolfe Road Sunnyvale, CA 94086



Похожие работы:

Воспользоваться поиском

Похожие учебники и литература:    Готовые списки литературы по ГОСТ

Информатика. Учебник. Часть 1.
Информатика. Учебник. Часть 2.
Основы информационного менеджмента
Документальные информационно поисковые системы (ДИПС)
Информационные технологии. Курс лекций
Основы внедрения информационных систем
Теория управления. Лекции
Основы борьбы с киберпреступностью
Стандартизация и сертификация программного обеспечения



Скачать работу: Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7, 2017 г.

Перейти в список рефератов, курсовых, контрольных и дипломов по
         дисциплине Программирование, компьютеры и кибернетика